變頻器電路中的各種故障檢修電路，只有一個(gè)指向和目的，采取停機(jī)或其它保護(hù)措施，盡最大可能保護(hù) IGBT模塊的安全。

　　1、電壓因素：

　　(1)、IGBT模塊的供電電壓過(guò)高時(shí)，將超出其安全工作范圍，導(dǎo)致其擊穿損壞;

　　(2)、供電電壓過(guò)低時(shí)，使負(fù)載能力不足，運(yùn)行電流加大，運(yùn)行電機(jī)易產(chǎn)生堵轉(zhuǎn)現(xiàn)象，危及IGBT模塊的安全;

　　(3)、供電電壓波動(dòng)，如直流回路濾波(儲(chǔ)能)電容的失容等，會(huì)引起浪涌電流及尖峰電壓的產(chǎn)生，對(duì)IGBT模塊的安全運(yùn)行產(chǎn)生威脅;

　　(4)、IGBT的控制電壓——驅(qū)動(dòng)電壓低落時(shí)，會(huì)導(dǎo)致IGBT的欠激勵(lì)，導(dǎo)通內(nèi)阻變大，功耗與溫度上升，易于損壞IGBT模塊。

　　2、電流因素：

　　(1)、過(guò)流，在輕、中度過(guò)流狀態(tài)，為反時(shí)限保護(hù)區(qū)域;

　　(2)、嚴(yán)重過(guò)流或短路狀態(tài)，無(wú)延時(shí)速斷保護(hù);

　　3、溫度因素：

　　(1)、輕度溫升，采到強(qiáng)制風(fēng)冷等手段;

　　(2)、溫度上升到一定幅值時(shí)，停機(jī)保護(hù);

　　4、其它因素：

　　(1)、驅(qū)動(dòng)電路的異常，如負(fù)截止負(fù)壓控制回路的中斷等，會(huì)使IGBT受誤觸通而損壞;

　　(2)、控制電路、檢測(cè)電路本身異常，如檢測(cè)電路的基準(zhǔn)電壓飄移，導(dǎo)致保護(hù)動(dòng)作起控點(diǎn)變化，起不到應(yīng)有的保護(hù)作用。

　　相對(duì)于以上影響或危及IGBT模塊的因素，則衍生了下述種類的保護(hù)電路。

　　1、電壓檢測(cè)電路：

　　(1)、直流回路電壓檢測(cè)電路，用電阻分壓網(wǎng)絡(luò)直接對(duì)直流530V電壓采樣，或從開(kāi)關(guān)電源次級(jí)整流電路間接對(duì)直流530V進(jìn)行采樣，由后續(xù)電路處理成模擬信號(hào)和數(shù)字開(kāi)關(guān)量信號(hào)。其中模擬量信號(hào)用于直流回路的電壓顯示，輸出控制等，而開(kāi)關(guān)量信號(hào)用于故障報(bào)警、停機(jī)保護(hù)等;

　　(2)、有的機(jī)型對(duì)三相交流輸入電壓進(jìn)行檢測(cè)，借以判斷IGBT的供電狀態(tài)，異常時(shí)停機(jī)保護(hù);

　　(3)、對(duì)驅(qū)動(dòng)供電電壓進(jìn)行監(jiān)測(cè)，常由驅(qū)動(dòng)IC的內(nèi)部保護(hù)電路執(zhí)行此任務(wù)，預(yù)防IGBT出現(xiàn)欠激勵(lì)現(xiàn)象;

　　(4)、對(duì)充電接觸器的觸點(diǎn)狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè)，實(shí)際為直流回路電壓的輔助檢測(cè)。

　　2、電流檢測(cè)電路：

　　(1)、IGBT保護(hù)電路，檢測(cè)IGBT在導(dǎo)通期間的管壓降，判斷IGBT是否處于過(guò)流、短路狀態(tài)，實(shí)施軟關(guān)斷與停機(jī)保護(hù)措施;

　　(2)、對(duì)三相輸出電流進(jìn)行采樣，據(jù)過(guò)流程度不同，采取不同的保護(hù)手段，如降低運(yùn)行頻率、延時(shí)停機(jī)保護(hù)等。

　　(3)、在逆變模塊供電回路串接快熔保險(xiǎn)管，實(shí)現(xiàn)對(duì)逆變模塊的短路保護(hù)，對(duì)快熔管狀態(tài)的檢測(cè);

　　(4)、個(gè)別機(jī)型還對(duì)直流母線的電流進(jìn)行采樣，異常時(shí)采取保護(hù)動(dòng)作;

　　(5)、個(gè)別機(jī)型對(duì)輸出電壓/頻率進(jìn)行采樣，實(shí)施對(duì)IGBT的保護(hù).